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ChinaIPB80N04S2L03ATMA1
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IPB80N04S2L03ATMA1
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 40 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
1,000
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
213 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
IPB80N
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
IPB80N04S2L-03-ND
IPB80N04S2L-03
SP000220158
IPB80N04S2L03ATMA1TR
2156-IPB80N04S2L03ATMA1-ITTR
INFINFIPB80N04S2L03ATMA1
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPB80N04S2L03ATMA1
Dokumente und Medien
Datasheets
1(IPB,IPP80N04S2L-03)
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Featured Product
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Menge Preis
-
Stellvertreter
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