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ChinaKSP10BU
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
KSP10BU
BESCHREIBUNG
RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
RF Transistor NPN 25V 650MHz 350mW Through Hole TO-92-3
HERSTELLER
Fairchild Semiconductor
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
7,036
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25V
Frequency - Transition
650MHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
-
Gain
-
Power - Max
350mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 4mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max)
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Supplier Device Package
TO-92-3
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Andere Namen
2156-KSP10BU
FAIFSCKSP10BU
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/Fairchild Semiconductor KSP10BU
Dokumente und Medien
Datasheets
1(Datasheet)
Menge Preis
QUANTITÄT: 7036
Einzelpreis: $0.04
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 7036
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 7036
Stellvertreter
-