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ChinaHN3C10FUTE85LF
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
HN3C10FUTE85LF
BESCHREIBUNG
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
3,000
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
Transistor Type
2 NPN (Dual)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
Frequency - Transition
7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
1.1dB @ 1GHz
Gain
11.5dB
Power - Max
200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 20mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max)
80mA
Operating Temperature
-
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
US6
Base Product Number
HN3C10
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Andere Namen
HN3C10FUTE85LFTR
HN3C10FUTE85LFCT
HN3C10FUTE85LFDKR
HN3C10FU(TE85L,F)
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF
Dokumente und Medien
-
Menge Preis
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $0.3354
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $0.482
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $0.57
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1
Stellvertreter
Teil Nr. : BFS483H6327XTSA1
Hersteller. : Infineon Technologies
Verfügbare Menge. : 48,521
Einzelpreis. : $0.73000
Ersatztyp. : Similar
Verfügbare Menge. : 48,521
Einzelpreis. : $0.73000
Ersatztyp. : Similar