English
Spain
Rusia
Italy
ChinaIGN1011L70
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IGN1011L70
BESCHREIBUNG
RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
RF Mosfet 50 V 22 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 22dB 80W PL32A2
HERSTELLER
Integra Technologies Inc.
STANDARD LEADTIME
4 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
15
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Integra Technologies Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Technology
GaN HEMT
Frequency
1.03GHz ~ 1.09GHz
Gain
22dB
Voltage - Test
50 V
Current Rating (Amps)
-
Noise Figure
-
Current - Test
22 mA
Power - Output
80W
Voltage - Rated
120 V
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
PL32A2
Supplier Device Package
PL32A2
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Andere Namen
2251-IGN1011L70
EAR99
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/Integra Technologies Inc. IGN1011L70
Dokumente und Medien
Datasheets
1(IGN1011L70)
Menge Preis
QUANTITÄT: 15
Einzelpreis: $203.29267
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $212.26
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 1
Stellvertreter
-