Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHG28N60EF-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 600V 28A TO247AC
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 600 V 28A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
21 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
500

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
123mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2714 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
SIHG28

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

742-SIHG28N60EF-GE3
SIHG28N60EF-GE3-ND

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHG28N60EF-GE3

Dokumente und Medien

Datasheets
1(SIHG28N60EF)
PCN Assembly/Origin
1(Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020)
PCN Packaging
1(Packing Tube Design 19/Sep/2019)
HTML Datasheet
1(SIHG28N60EF)

Menge Preis

QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $3.1009
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $3.29321
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $3.84608
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $4.3268
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $5.348
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $6.37
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-