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ChinaSTF9HN65M2
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
STF9HN65M2
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220FP
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 650 V 5.5A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220FP
HERSTELLER
STMicroelectronics
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
50
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
STMicroelectronics
Series
MDmesh™ M2
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
820mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
325 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
20W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220FP
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Base Product Number
STF9
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
497-16014-5
-497-16014-5
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics STF9HN65M2
Dokumente und Medien
Product Training Modules
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev OBS 3/Jul/2020)
HTML Datasheet
1(STF9HN65M2)
Menge Preis
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $0.968
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $1.18
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Stellvertreter
Teil Nr. : IPA60R650CEXKSA1
Hersteller. : Infineon Technologies
Verfügbare Menge. : 383
Einzelpreis. : $1.17000
Ersatztyp. : Similar
Verfügbare Menge. : 383
Einzelpreis. : $1.17000
Ersatztyp. : Similar