NE3513M04-T2B-A

Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS

NE3513M04-T2B-A

BESCHREIBUNG

RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4MMOLD

DETAILIERTE BESCHREIBUNG

RF Mosfet 2 V 10 mA 12GHz 13dB 125mW 4-Super Mini Mold

HERSTELLER

Renesas Electronics Corporation

STANDARD LEADTIME

EDACAD-MODELL

STANDARDPAKET

310

Lagerbestände

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Technische Daten

Mfr

Renesas Electronics Corporation

Series

-

Package

Bulk

Product Status

Obsolete

Technology

GaAs HJ-FET

Configuration

N-Channel

Frequency

12GHz

Gain

13dB

Voltage - Test

2 V

Current Rating (Amps)

60mA

Noise Figure

0.65dB

Current - Test

10 mA

Power - Output

125mW

Voltage - Rated

4 V

Package / Case

4-SMD, Flat Leads

Supplier Device Package

4-Super Mini Mold

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status

ROHS3 Compliant

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0075

Andere Namen

2156-NE3513M04-T2B-A-RETR

RENRNSNE3513M04-T2B-A

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation NE3513M04-T2B-A

Dokumente und Medien

Datasheets

1(NE3513M04-T2B-A)

Menge Preis

QUANTITÄT: 310

Einzelpreis: $0.97
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 310

Stellvertreter

-

RN55E3401FRSL 345-118-560-203 TCSD-13-S-20.00-01-F-N VJ0603D180JXBQJHT HM2P88PD81F0N9LF

NE3513M04-T2B-A

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Technische Daten

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

Andere Namen

Kategorie

Dokumente und Medien

Menge Preis

Stellvertreter

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