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ChinaIXTQ40N50L2
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IXTQ40N50L2
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 500V 40A TO3P
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 500 V 40A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-3P
HERSTELLER
IXYS
STANDARD LEADTIME
43 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
30
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
IXYS
Series
Linear L2™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
320 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10400 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
540W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3P
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Base Product Number
IXTQ40
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTQ40N50L2
Dokumente und Medien
Datasheets
1(IXT(H,Q,T)40N50L2)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Featured Product
1(Linear L2™ MOSFETs)
PCN Design/Specification
1(Multiple Devices Material 23/Jun/2020)
HTML Datasheet
1(IXT(H,Q,T)40N50L2)
Menge Preis
QUANTITÄT: 510
Einzelpreis: $12.86504
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 120
Einzelpreis: $14.19592
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 30
Einzelpreis: $15.083
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $18.63
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Stellvertreter
-