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ChinaFP7G75US60
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
FP7G75US60
BESCHREIBUNG
IGBT
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
IGBT Module Half Bridge 600 V 75 A 310 W Chassis Mount EPM7
HERSTELLER
Fairchild Semiconductor
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
10
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
Power-SPM™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Configuration
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
Power - Max
310 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 75A
Current - Collector Cutoff (Max)
250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
4.515 nF @ 30 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
EPM7
Supplier Device Package
EPM7
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
FAIFSCFP7G75US60
2156-FP7G75US60-FS
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Fairchild Semiconductor FP7G75US60
Dokumente und Medien
Datasheets
1(FP7G75US60)
Menge Preis
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $32.1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 10
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 10
Stellvertreter
-