Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IXTX120N65X2
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 650 V 120A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
HERSTELLER
IXYS
STANDARD LEADTIME
47 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET

Technische Daten

Mfr
IXYS
Series
Ultra X2
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1250W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PLUS247™-3
Package / Case
TO-247-3 Variant
Base Product Number
IXTX120

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTX120N65X2

Dokumente und Medien

Datasheets
()
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Featured Product
1(Power MOSFETs 600 V to 700 V with HiPerFET™ Option - X2-Class Series)
HTML Datasheet
1(IXT(K,X)120N65X2)

Menge Preis

QUANTITÄT: 510
Einzelpreis: $15.3988
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 120
Einzelpreis: $18.0455
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 30
Einzelpreis: $19.24833
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $23.22
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

Teil Nr. : SCT3022ALGC11
Hersteller. : Rohm Semiconductor
Verfügbare Menge. : 1,695
Einzelpreis. : $50.98000
Ersatztyp. : Similar