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ChinaNE3515S02-T1D-A
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
NE3515S02-T1D-A
BESCHREIBUNG
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
RF Mosfet 2 V 10 mA 12GHz 12.5dB 14dBm S02
HERSTELLER
CEL
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
CEL
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
GaAs HJ-FET
Frequency
12GHz
Gain
12.5dB
Voltage - Test
2 V
Current Rating (Amps)
88mA
Noise Figure
0.3dB
Current - Test
10 mA
Power - Output
14dBm
Voltage - Rated
4 V
Package / Case
4-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package
S02
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/CEL NE3515S02-T1D-A
Dokumente und Medien
Datasheets
1(NE3515S02)
PCN Obsolescence/ EOL
()
Menge Preis
-
Stellvertreter
-