English
Spain
Rusia
Italy
ChinaSCTWA30N120
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SCTWA30N120
BESCHREIBUNG
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 1200 V 45A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™ Long Leads
HERSTELLER
STMicroelectronics
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
SCTWA30N120 Models
STANDARDPAKET
30
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
STMicroelectronics
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
270W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
HiP247™ Long Leads
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
SCTWA30
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics SCTWA30N120
Dokumente und Medien
Datasheets
1(SCTWA30N120)
EDA Models
1(SCTWA30N120 Models)
Menge Preis
QUANTITÄT: 250
Einzelpreis: $22.68216
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $23.7772
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 25
Einzelpreis: $26.5928
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $27.844
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $30.19
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Stellvertreter
-