Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IXFP18N65X2
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 650V 18A TO220AB
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 650 V 18A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-220
HERSTELLER
IXYS
STANDARD LEADTIME
47 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
50

Technische Daten

Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Ultra X2
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1520 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
290W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IXFP18

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFP18N65X2

Dokumente und Medien

Datasheets
()
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Featured Product
1(Power MOSFETs 600 V to 700 V with HiPerFET™ Option - X2-Class Series)

Menge Preis

QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $2.44424
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $2.59582
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $3.03162
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $3.4106
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 50
Einzelpreis: $3.979
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $5.02
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-