Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SUV85N10-10-E3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 100 V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6550 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.75W (Ta), 250W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SUV85

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SUV85N10-10-E3

Dokumente und Medien

Datasheets
()
HTML Datasheet
1(SUV85N10-10)

Menge Preis

-

Stellvertreter

Teil Nr. : SUP85N10-10-E3
Hersteller. : Vishay Siliconix
Verfügbare Menge. : 384
Einzelpreis. : $6.37000
Ersatztyp. : Parametric Equivalent
Teil Nr. : SUP85N10-10-GE3
Hersteller. : Vishay Siliconix
Verfügbare Menge. : 504
Einzelpreis. : $6.37000
Ersatztyp. : Parametric Equivalent
Teil Nr. : IPI086N10N3GXKSA1
Hersteller. : Infineon Technologies
Verfügbare Menge. : 470
Einzelpreis. : $1.75000
Ersatztyp. : Similar