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ChinaIRF630
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IRF630
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 200 V 9A (Tc) Through Hole TO-220AB
HERSTELLER
Harris Corporation
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
353
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Harris Corporation
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 25 V
FET Feature
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
2156-IRF630-HC
HARHARIRF630
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation IRF630
Dokumente und Medien
Datasheets
1(IRF630)
Menge Preis
QUANTITÄT: 353
Einzelpreis: $0.85
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 353
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 353
Stellvertreter
-