Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SUM60030E-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 80V 120A TO263
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
50 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
800

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7910 pF @ 40 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
375W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
SUM60030

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

SUM60030E-GE3TR
SUM60030E-GE3CT
SUM60030E-GE3DKR

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SUM60030E-GE3

Dokumente und Medien

Datasheets
1(SUM60030E)
Featured Product
1(Medium Voltage MOSFETS for Industrial Applications)
PCN Assembly/Origin
1(Assembly Site Add 9/Jun/2016)
HTML Datasheet
1(SUM60030E)

Menge Preis

QUANTITÄT: 5600
Einzelpreis: $1.375
Verpackung: Tape & Reel (TR)
MinMultiplikator: 800
QUANTITÄT: 2400
Einzelpreis: $1.43319
Verpackung: Tape & Reel (TR)
MinMultiplikator: 800
QUANTITÄT: 1600
Einzelpreis: $1.52207
Verpackung: Tape & Reel (TR)
MinMultiplikator: 800
QUANTITÄT: 800
Einzelpreis: $1.7776
Verpackung: Tape & Reel (TR)
MinMultiplikator: 800

Stellvertreter

Teil Nr. : FDB86135
Hersteller. : onsemi
Verfügbare Menge. : 3,189
Einzelpreis. : $6.42000
Ersatztyp. : Similar