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ChinaBFR750L3RHE6327
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
BFR750L3RHE6327
BESCHREIBUNG
RF BIPOLAR TRANSISTOR
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
RF Transistor NPN 4.7V 90mA 37GHz 360mW Surface Mount PG-TSLP-3
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
944
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
4.7V
Frequency - Transition
37GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Gain
21dB
Power - Max
360mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 60mA, 3V
Current - Collector (Ic) (Max)
90mA
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-101, SOT-883
Supplier Device Package
PG-TSLP-3
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Andere Namen
2156-BFR750L3RHE6327
IFEINFBFR750L3RHE6327
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/Infineon Technologies BFR750L3RHE6327
Dokumente und Medien
Datasheets
1(Datasheet)
Menge Preis
QUANTITÄT: 944
Einzelpreis: $0.32
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 944
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 944
Stellvertreter
-