English
Spain
Rusia
Italy
ChinaBUJD203A,127
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
BUJD203A,127
BESCHREIBUNG
NOW WEEN - BUJD203A - POWER BIPO
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
Bipolar (BJT) Transistor NPN 425 V 4 A 80 W Through Hole TO-220AB
HERSTELLER
NXP USA Inc.
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
908
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
425 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
11 @ 2A, 5V
Power - Max
80 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
2156-BUJD203A,127
WENNXPBUJD203A,127
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/NXP USA Inc. BUJD203A,127
Dokumente und Medien
Datasheets
1(BUJD203A,127 Datasheet)
Menge Preis
QUANTITÄT: 908
Einzelpreis: $0.33
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 908
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 908
Stellvertreter
-