Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
TK090A65Z,S4X
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 650V 30A TO220SIS
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 650 V 30A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
STANDARD LEADTIME
24 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
50

Technische Daten

Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
DTMOSVI
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.27mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2780 pF @ 300 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
45W (Tc)
Operating Temperature
150°C
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220SIS
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Base Product Number
TK090A65

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

264-TK090A65Z,S4X-ND
264-TK090A65ZS4X
264-TK090A65Z,S4X
TK090A65Z,S4X(S

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Toshiba Semiconductor and Storage TK090A65Z,S4X

Dokumente und Medien

Datasheets
1(TK090A65Z)

Menge Preis

QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $2.24099
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $2.37996
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $2.77952
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $3.127
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 50
Einzelpreis: $3.6482
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $4.6
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-