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ChinaSPP80N06S2L-09
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SPP80N06S2L-09
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
500
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 125µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3480 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
190W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SPP80N
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
2156-SPP80N06S2L-09-IT
INFINFSPP80N06S2L-09
SP000013580
SPP80N06S2L09
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPP80N06S2L-09
Dokumente und Medien
Datasheets
1(SP(P,B)80N06S2L-09)
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1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(SP(P,B)80N06S2L-09)
Menge Preis
-
Stellvertreter
Teil Nr. : FDP038AN06A0-F102
Hersteller. : onsemi
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $0.00000
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Einzelpreis. : $0.00000
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Hersteller. : onsemi
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Einzelpreis. : $3.27000
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Verfügbare Menge. : 50
Einzelpreis. : $3.91000
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Teil Nr. : STP80NF55-06
Hersteller. : STMicroelectronics
Verfügbare Menge. : 1,000
Einzelpreis. : $3.48000
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Verfügbare Menge. : 1,000
Einzelpreis. : $3.48000
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