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ChinaTIP35B
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
TIP35B
BESCHREIBUNG
TRANS NPN 80V 25A TO218
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-218
HERSTELLER
onsemi
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
325
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Box
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
-
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 15A, 4V
Power - Max
125 W
Frequency - Transition
3MHz
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-218-3
Supplier Device Package
TO-218
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
ONSONSTIP35B
2156-TIP35B-ON
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi TIP35B
Dokumente und Medien
Datasheets
1(Datasheet)
Menge Preis
QUANTITÄT: 325
Einzelpreis: $0.92
Verpackung: Box
MinMultiplikator: 325
Verpackung: Box
MinMultiplikator: 325
Stellvertreter
-