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ChinaFF150R12ME3GBOSA1
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
FF150R12ME3GBOSA1
BESCHREIBUNG
IGBT MOD 1200V 200A 695W
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 200 A 695 W Chassis Mount Module
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
10
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Infineon Technologies
Series
EconoDUAL™
Package
Tray
Product Status
Not For New Designs
IGBT Type
Trench Field Stop
Configuration
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
200 A
Power - Max
695 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 150A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
10.5 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
FF150R12M
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
INFINFFF150R12ME3GBOSA1
2156-FF150R12ME3GBOSA1
FF150R12ME3G-ND
SP000317332
FF150R12ME3G
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies FF150R12ME3GBOSA1
Dokumente und Medien
Datasheets
1(FF150R12ME3G)
HTML Datasheet
1(FF150R12ME3G)
Menge Preis
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $118.472
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 10
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 10
Stellvertreter
Teil Nr. : FF150R12ME3GBOSA1
Hersteller. : Rochester Electronics, LLC
Verfügbare Menge. : 777
Einzelpreis. : $123.69000
Ersatztyp. : Parametric Equivalent
Verfügbare Menge. : 777
Einzelpreis. : $123.69000
Ersatztyp. : Parametric Equivalent