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ChinaIRFHM830TR2PBF
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IRFHM830TR2PBF
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
400
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2155 pF @ 25 V
FET Feature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PQFN (3x3)
Package / Case
8-VQFN Exposed Pad
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
IRFHM830TR2PBFCT
IRFHM830TR2PBFTR
SP001560438
IRFHM830TR2PBFDKR
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFHM830TR2PBF
Dokumente und Medien
Datasheets
1(IRFHM830PbF)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRFHM830PbF)
Simulation Models
1(IRFHM830TR2PBF Saber Model)
Menge Preis
-
Stellvertreter
Teil Nr. : DMTH3004LPS-13
Hersteller. : Diodes Incorporated
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $0.47122
Ersatztyp. : Similar
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $0.47122
Ersatztyp. : Similar
Teil Nr. : FDMS0312AS
Hersteller. : onsemi
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $0.64000
Ersatztyp. : Similar
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $0.64000
Ersatztyp. : Similar