Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHD11N80AE-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 800V 8A TO252AA
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 800 V 8A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
21 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
75

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
E
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
804 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
78W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
SIHD11

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHD11N80AE-GE3

Dokumente und Medien

Datasheets
1(SiHD11N80AE)
Featured Product
1(MOSFETs in 5G)

Menge Preis

QUANTITÄT: 10050
Einzelpreis: $0.725
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 5025
Einzelpreis: $0.74982
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 2025
Einzelpreis: $0.77912
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1050
Einzelpreis: $0.82012
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 525
Einzelpreis: $0.96657
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 150
Einzelpreis: $1.14233
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 75
Einzelpreis: $1.3884
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $1.73
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-