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ChinaAFT26HW050GSR3-NXP
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
AFT26HW050GSR3-NXP
BESCHREIBUNG
RF MOSFET
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
RF Mosfet 28 V 100 mA 2.496GHz ~ 2.69GHz 14.2dB 9W NI-780S-4L4L-8
HERSTELLER
NXP USA Inc.
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
1
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Technology
LDMOS (Dual)
Configuration
2 N-Channel
Frequency
2.496GHz ~ 2.69GHz
Gain
14.2dB
Voltage - Test
28 V
Current Rating (Amps)
1µA
Noise Figure
-
Current - Test
100 mA
Power - Output
9W
Voltage - Rated
65 V
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
NI-780S-4L4L-8
Supplier Device Package
NI-780S-4L4L-8
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Andere Namen
2156-AFT26HW050GSR3-NXP
NXPNXPAFT26HW050GSR3
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. AFT26HW050GSR3-NXP
Dokumente und Medien
Datasheets
1(AFT26HW050SR3)
Menge Preis
QUANTITÄT: 3
Einzelpreis: $115.45
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 3
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 3
Stellvertreter
-