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ChinaGC05MPS12-220
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
GC05MPS12-220
BESCHREIBUNG
DIODE SIL CARB 1.2KV 29A TO220-2
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
Diode 1200 V 29A Through Hole TO-220-2
HERSTELLER
GeneSiC Semiconductor
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
50
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
GeneSiC Semiconductor
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Technology
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1200 V
Current - Average Rectified (Io)
29A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.8 V @ 5 A
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
4 µA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F
359pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-2
Supplier Device Package
TO-220-2
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Single Diodes/GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-220
Dokumente und Medien
Datasheets
1(GC05MPS12-220)
Featured Product
1(Silicon Carbide Schottky Diode)
PCN Obsolescence/ EOL
1(OBS 14/Jun/2023)
Menge Preis
-
Stellvertreter
Teil Nr. : GD10MPS12E
Hersteller. : GeneSiC Semiconductor
Verfügbare Menge. : 2,549
Einzelpreis. : $3.58000
Ersatztyp. : MFR Recommended
Verfügbare Menge. : 2,549
Einzelpreis. : $3.58000
Ersatztyp. : MFR Recommended