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ChinaSIHW61N65EF-GE3
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHW61N65EF-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 650 V 64A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AD
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
28 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Vishay Siliconix
Series
E
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 30.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
371 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7407 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
520W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AD
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
SIHW61
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHW61N65EF-GE3
Dokumente und Medien
Datasheets
1(SIHW61N65EF)
HTML Datasheet
1(SIHW61N65EF)
Menge Preis
QUANTITÄT: 480
Einzelpreis: $8.93346
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 480
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 480
Stellvertreter
Teil Nr. : IPW60R040C7XKSA1
Hersteller. : Infineon Technologies
Verfügbare Menge. : 464
Einzelpreis. : $11.69000
Ersatztyp. : Similar
Verfügbare Menge. : 464
Einzelpreis. : $11.69000
Ersatztyp. : Similar
Teil Nr. : STW72N60DM2AG
Hersteller. : STMicroelectronics
Verfügbare Menge. : 600
Einzelpreis. : $11.04000
Ersatztyp. : Similar
Verfügbare Menge. : 600
Einzelpreis. : $11.04000
Ersatztyp. : Similar