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ChinaSIHB22N60EF-GE3
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHB22N60EF-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 600 V 19A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
21 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
1,000
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Vishay Siliconix
Series
EF
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
182mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1423 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
179W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
SIHB22
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHB22N60EF-GE3
Dokumente und Medien
Datasheets
1(SiHB22N60EF)
Featured Product
1(MOSFETs in 5G)
HTML Datasheet
1(SiHB22N60EF)
Menge Preis
QUANTITÄT: 5000
Einzelpreis: $1.60125
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $1.77252
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $2.3289
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $2.879
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $3.43
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 1
Stellvertreter
-