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ChinaFF1200R12KE3NOSA1
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
FF1200R12KE3NOSA1
BESCHREIBUNG
IGBT MODULE 1200V 5000W
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
IGBT Module 2 Independent 1200 V 5000 W Chassis Mount Module
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
2
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Configuration
2 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Power - Max
5000 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 1200A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
86 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
FF1200
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
FF1200R12KE3-ND
FF1200R12KE3
SP000100572
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies FF1200R12KE3NOSA1
Dokumente und Medien
Datasheets
1(FF1200R12KE3)
HTML Datasheet
1(FF1200R12KE3)
Menge Preis
-
Stellvertreter
Teil Nr. : FF1200R12IE5BPSA1
Hersteller. : Infineon Technologies
Verfügbare Menge. : 3
Einzelpreis. : $674.25000
Ersatztyp. : Similar
Verfügbare Menge. : 3
Einzelpreis. : $674.25000
Ersatztyp. : Similar