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ChinaSIHS90N65E-GE3
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHS90N65E-GE3
BESCHREIBUNG
E SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 650 V 87A (Tc) 625W (Tc) Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
28 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
30
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Vishay Siliconix
Series
E
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
87A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
591 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11826 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
625W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
SUPER-247™ (TO-274AA)
Package / Case
TO-274AA
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHS90N65E-GE3
Dokumente und Medien
Datasheets
1(SIHS90N65E)
Featured Product
1(MOSFETs in 5G)
HTML Datasheet
1(SIHS90N65E)
Menge Preis
QUANTITÄT: 510
Einzelpreis: $13.15682
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 120
Einzelpreis: $15.41817
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 30
Einzelpreis: $16.446
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $19.84
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Stellvertreter
-