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ChinaIPP25N06S325XK
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IPP25N06S325XK
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 55V 25A TO220-3
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 55 V 25A (Tc) 48W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
500
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1862 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
48W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IPP25N
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
IPP25N06S3-25-ND
IPP25N06S3-25
IPP25N06S3-25IN-ND
IPP25N06S325X
IPP25N06S3-25IN
SP000088001
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPP25N06S325XK
Dokumente und Medien
Datasheets
1(IPB(I,P)25N06S3-25)
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1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPB(I,P)25N06S3-25)
Menge Preis
-
Stellvertreter
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Einzelpreis. : $2.68000
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Teil Nr. : STP45NF06
Hersteller. : STMicroelectronics
Verfügbare Menge. : 6,274
Einzelpreis. : $1.65000
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Teil Nr. : STP55NF06
Hersteller. : STMicroelectronics
Verfügbare Menge. : 38,074
Einzelpreis. : $1.56000
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