Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IRFI620G
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 200 V 4.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
1,000

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
260 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
30W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Base Product Number
IRFI620

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFI620G

Dokumente und Medien

Datasheets
1(IRFI620G)
HTML Datasheet
1(IRFI620G)

Menge Preis

-

Stellvertreter

Teil Nr. : IRFI620
Hersteller. : Vishay Siliconix
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $0.00000
Ersatztyp. : Parametric Equivalent
Teil Nr. : IRFI620GPBF
Hersteller. : Vishay Siliconix
Verfügbare Menge. : 840
Einzelpreis. : $1.68000
Ersatztyp. : Parametric Equivalent
Teil Nr. : IRFI4227PBF
Hersteller. : Infineon Technologies
Verfügbare Menge. : 6,696
Einzelpreis. : $3.05000
Ersatztyp. : Similar
Teil Nr. : RCX081N20
Hersteller. : Rohm Semiconductor
Verfügbare Menge. : 136
Einzelpreis. : $1.07000
Ersatztyp. : Similar