Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHB105N60EF-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 600 V 29A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
10 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
50

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
EF
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
102mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1804 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
208W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
SIHB105

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

742-SIHB105N60EF-GE3CTINACTIVE
742-SIHB105N60EF-GE3TR-ND
742-SIHB105N60EF-GE3DKRINACTIVE
742-SIHB105N60EF-GE3

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHB105N60EF-GE3

Dokumente und Medien

Datasheets
1(SIHB105N60EF)
Featured Product
1(MOSFETs in 5G)
HTML Datasheet
1(SIHB105N60EF)

Menge Preis

QUANTITÄT: 5000
Einzelpreis: $1.72125
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $1.7941
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $1.90535
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $2.22524
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $2.5034
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 50
Einzelpreis: $2.9206
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $3.69
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-