Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IRLD110PBF
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
10 Weeks
EDACAD-MODELL
IRLD110PBF Models
STANDARDPAKET
100

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 600mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
4-HVMDIP
Package / Case
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Base Product Number
IRLD110

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRLD110PBF

Dokumente und Medien

Datasheets
1(IRLD110)
PCN Design/Specification
1(Mult Dev 01/Feb/2023)
HTML Datasheet
1(IRLD110)
EDA Models
1(IRLD110PBF Models)
Product Drawings
()

Menge Preis

QUANTITÄT: 10000
Einzelpreis: $0.695
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 5000
Einzelpreis: $0.7188
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $0.74688
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $0.78618
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $0.92658
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $1.095
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $1.376
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $1.66
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-