Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
NTE215
BESCHREIBUNG
TRANS NPN DARL 100V 8A TO3P
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 20MHz 2.5 W Through Hole TO-3P
HERSTELLER
NTE Electronics, Inc
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
1

Technische Daten

Mfr
NTE Electronics, Inc
Series
-
Package
Bag
Product Status
Active
Transistor Type
NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 8mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1500 @ 4A, 3V
Power - Max
2.5 W
Frequency - Transition
20MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package
TO-3P

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/NTE Electronics, Inc NTE215

Dokumente und Medien

Datasheets
1(NTE215 Datasheet)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(NTE215 Datasheet)

Menge Preis

QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $3.82
Verpackung: Bag
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 50
Einzelpreis: $3.91
Verpackung: Bag
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 20
Einzelpreis: $4.14
Verpackung: Bag
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $4.37
Verpackung: Bag
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $4.6
Verpackung: Bag
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-