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ChinaFPF2G120BF07AS
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
FPF2G120BF07AS
BESCHREIBUNG
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
IGBT Module Field Stop 3 Independent 650 V 40 A 156 W Through Hole F2
HERSTELLER
Fairchild Semiconductor
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
3
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
IGBT Type
Field Stop
Configuration
3 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Power - Max
156 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 40A
Current - Collector Cutoff (Max)
250 µA
Input
Standard
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
Module
Supplier Device Package
F2
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Andere Namen
2156-FPF2G120BF07AS
ONSFSCFPF2G120BF07AS
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Fairchild Semiconductor FPF2G120BF07AS
Dokumente und Medien
Datasheets
1(Datasheet)
Menge Preis
QUANTITÄT: 3
Einzelpreis: $103.14
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 3
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 3
Stellvertreter
-