Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
NTE455
BESCHREIBUNG
MOSFET-DUAL GATE N-CH
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 20 V 25mA 200mW (Ta) Surface Mount
HERSTELLER
NTE Electronics, Inc
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
1

Technische Daten

Mfr
NTE Electronics, Inc
Series
-
Package
Bag
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
25mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3500 pF @ 10 V
FET Feature
Standard
Power Dissipation (Max)
200mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 125°C
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
-
Package / Case
SOT-103

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NTE Electronics, Inc NTE455

Dokumente und Medien

Datasheets
1(NTE455 Datasheet)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(NTE455 Datasheet)

Menge Preis

QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $2.47
Verpackung: Bag
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 50
Einzelpreis: $2.53
Verpackung: Bag
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 20
Einzelpreis: $2.68
Verpackung: Bag
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $2.83
Verpackung: Bag
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $2.98
Verpackung: Bag
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-