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ChinaSCTWA60N120G2-4
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SCTWA60N120G2-4
BESCHREIBUNG
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) Through Hole TO-247-4
HERSTELLER
STMicroelectronics
STANDARD LEADTIME
52 Weeks
EDACAD-MODELL
SCTWA60N120G2-4 Models
STANDARDPAKET
30
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
STMicroelectronics
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 30A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
94 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1969 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
388W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-4
Package / Case
TO-247-4
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics SCTWA60N120G2-4
Dokumente und Medien
Datasheets
1(SCTWA60N120G2-4)
EDA Models
1(SCTWA60N120G2-4 Models)
Menge Preis
QUANTITÄT: 270
Einzelpreis: $23.73956
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 120
Einzelpreis: $24.88558
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 30
Einzelpreis: $27.83267
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $29.142
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $31.6
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Stellvertreter
-