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ChinaSIHD6N65ET5-GE3
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHD6N65ET5-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
28 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Vishay Siliconix
Series
E
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
820 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
78W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
SIHD6
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHD6N65ET5-GE3
Dokumente und Medien
Datasheets
1(SIHD6N65E-GE3)
PCN Design/Specification
1(Reel Design Change 29/Dec/2022)
HTML Datasheet
1(SIHD6N65E-GE3)
Menge Preis
QUANTITÄT: 9000
Einzelpreis: $0.65
Verpackung: Tape & Reel (TR)
MinMultiplikator: 3000
Verpackung: Tape & Reel (TR)
MinMultiplikator: 3000
QUANTITÄT: 6000
Einzelpreis: $0.67226
Verpackung: Tape & Reel (TR)
MinMultiplikator: 3000
Verpackung: Tape & Reel (TR)
MinMultiplikator: 3000
QUANTITÄT: 3000
Einzelpreis: $0.69852
Verpackung: Tape & Reel (TR)
MinMultiplikator: 3000
Verpackung: Tape & Reel (TR)
MinMultiplikator: 3000
Stellvertreter
Teil Nr. : IXFA14N60P
Hersteller. : IXYS
Verfügbare Menge. : 50
Einzelpreis. : $5.02000
Ersatztyp. : Similar
Verfügbare Menge. : 50
Einzelpreis. : $5.02000
Ersatztyp. : Similar