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ChinaSIHH11N60E-T1-GE3
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHH11N60E-T1-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 600 V 11A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
21 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
3,000
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
339mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1076 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
114W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 8 x 8
Package / Case
8-PowerTDFN
Base Product Number
SIHH11
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
SIHH11N60E-T1-GE3DKR
SIHH11N60E-T1-GE3CT
SIHH11N60E-T1-GE3TR
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHH11N60E-T1-GE3
Dokumente und Medien
Datasheets
1(SIHH11N60E)
Featured Product
1(SiHH26N60E, SiHH21N60E, SiHH14N60E, and SiHH11N60E MOSFETs)
HTML Datasheet
1(SIHH11N60E)
Menge Preis
QUANTITÄT: 6000
Einzelpreis: $1.41
Verpackung: Tape & Reel (TR)
MinMultiplikator: 3000
Verpackung: Tape & Reel (TR)
MinMultiplikator: 3000
QUANTITÄT: 3000
Einzelpreis: $1.46967
Verpackung: Tape & Reel (TR)
MinMultiplikator: 3000
Verpackung: Tape & Reel (TR)
MinMultiplikator: 3000
Stellvertreter
Teil Nr. : IPL60R360P6SATMA1
Hersteller. : Infineon Technologies
Verfügbare Menge. : 681
Einzelpreis. : $1.87000
Ersatztyp. : Similar
Verfügbare Menge. : 681
Einzelpreis. : $1.87000
Ersatztyp. : Similar