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ChinaTP65H035G4WS
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
TP65H035G4WS
BESCHREIBUNG
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3
HERSTELLER
Transphorm
STANDARD LEADTIME
16 Weeks
EDACAD-MODELL
TP65H035G4WS Models
STANDARDPAKET
30
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Transphorm
Series
SuperGaN™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
46.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 0 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
156W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
TP65H035
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Transphorm TP65H035G4WS
Dokumente und Medien
Datasheets
1(TP65H035G4WS)
Featured Product
()
HTML Datasheet
1(TP65H035G4WS)
EDA Models
1(TP65H035G4WS Models)
Menge Preis
QUANTITÄT: 510
Einzelpreis: $12.38967
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 120
Einzelpreis: $13.67133
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 30
Einzelpreis: $14.52567
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $17.94
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Stellvertreter
-