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ChinaSIHG026N60EF-GE3
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHG026N60EF-GE3
BESCHREIBUNG
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 600 V 95A (Tc) 521W (Tc) Through Hole TO-247AC
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
28 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
500
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
95A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
227 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7926 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
521W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHG026N60EF-GE3
Dokumente und Medien
Datasheets
1(SIHG026N60EF)
HTML Datasheet
1(SIHG026N60EF)
Menge Preis
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $8.70861
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $9.49436
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $10.4765
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $12.113
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $13.75
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Stellvertreter
-