H5N2007LSTL-E

Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS

H5N2007LSTL-E

BESCHREIBUNG

MOSFET N-CH HS SW TO-263

DETAILIERTE BESCHREIBUNG

25A (Tj)

HERSTELLER

Renesas Electronics Corporation

STANDARD LEADTIME

EDACAD-MODELL

STANDARDPAKET

Lagerbestände

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Technische Daten

Mfr

Renesas Electronics Corporation

Series

-

Package

Tape & Reel (TR)

Product Status

Obsolete

FET Type

-

Technology

-

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

25A (Tj)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Vgs (Max)

-

FET Feature

-

Power Dissipation (Max)

-

Operating Temperature

-

Mounting Type

-

Supplier Device Package

-

Package / Case

-

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation H5N2007LSTL-E

Dokumente und Medien

PCN Obsolescence/ EOL

1(Mult Dev EOL 15/Dec/2018)

PCN Packaging

1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)

Menge Preis

-

Stellvertreter

-

833-025-540-603 ERA-6AEB9533V MTMM-113-06-G-D-023 821-22-042-10-001101 DW-14-10-L-S-480

H5N2007LSTL-E

Übersicht der Teilenummer

Technische Daten

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

Andere Namen

Kategorie

Dokumente und Medien

Menge Preis

Stellvertreter

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