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ChinaTRS12E65C,S1Q
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
TRS12E65C,S1Q
BESCHREIBUNG
DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2L
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
Diode 650 V 12A Through Hole TO-220-2L
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
50
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Technology
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
650 V
Current - Average Rectified (Io)
12A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.7 V @ 12 A
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
90 µA @ 170 V
Capacitance @ Vr, F
65pF @ 650V, 1MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-2
Supplier Device Package
TO-220-2L
Operating Temperature - Junction
175°C (Max)
Base Product Number
TRS12E65
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Andere Namen
TRS12E65CS1Q
TRS12E65C,S1Q(S
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Single Diodes/Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65C,S1Q
Dokumente und Medien
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 18/Oct/2018)
Menge Preis
-
Stellvertreter
Teil Nr. : TRS12E65F,S1Q
Hersteller. : Toshiba Semiconductor and Storage
Verfügbare Menge. : 3
Einzelpreis. : $2.35000
Ersatztyp. : Similar
Verfügbare Menge. : 3
Einzelpreis. : $2.35000
Ersatztyp. : Similar
Teil Nr. : STPSC12H065D
Hersteller. : STMicroelectronics
Verfügbare Menge. : 976
Einzelpreis. : $4.37000
Ersatztyp. : Similar
Verfügbare Menge. : 976
Einzelpreis. : $4.37000
Ersatztyp. : Similar
Teil Nr. : NXPSC126506Q
Hersteller. : WeEn Semiconductors
Verfügbare Menge. : 990
Einzelpreis. : $6.18000
Ersatztyp. : Parametric Equivalent
Verfügbare Menge. : 990
Einzelpreis. : $6.18000
Ersatztyp. : Parametric Equivalent