Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IMZ120R350M1HXKSA1
BESCHREIBUNG
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 60W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
28 Weeks
EDACAD-MODELL
IMZ120R350M1HXKSA1 Models
STANDARDPAKET
30

Technische Daten

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolSiC™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 2A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.3 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
182 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
60W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-4-1
Package / Case
TO-247-4
Base Product Number
IMZ120

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

SP001808378
2156-IMZ120R350M1HXKSA1-448

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IMZ120R350M1HXKSA1

Dokumente und Medien

Datasheets
1(IMZ120R350M1H)
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
HTML Datasheet
1(IMZ120R350M1H)
EDA Models
1(IMZ120R350M1HXKSA1 Models)

Menge Preis

QUANTITÄT: 2010
Einzelpreis: $4.37161
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1020
Einzelpreis: $4.66535
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 510
Einzelpreis: $5.18373
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 120
Einzelpreis: $5.87492
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 30
Einzelpreis: $6.566
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $8.22
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-