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ChinaIPD60R380E6BTMA1
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IPD60R380E6BTMA1
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
1
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ E6
Package
Bulk
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
IPD60R
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
INFINFIPD60R380E6BTMA1
2156-IPD60R380E6BTMA1-IT
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD60R380E6BTMA1
Dokumente und Medien
Datasheets
1(IPx60R380E6)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPx60R380E6)
Menge Preis
-
Stellvertreter
Teil Nr. : STD13N60DM2
Hersteller. : STMicroelectronics
Verfügbare Menge. : 2,498
Einzelpreis. : $1.86000
Ersatztyp. : Similar
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Teil Nr. : STD13NM60N
Hersteller. : STMicroelectronics
Verfügbare Menge. : 7,165
Einzelpreis. : $2.85000
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Teil Nr. : TK380P60Y,RQ
Hersteller. : Toshiba Semiconductor and Storage
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $1.62000
Ersatztyp. : Similar
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