Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHG80N60EF-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 600 V 80A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
28 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
EF
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
400 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6600 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
520W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
SIHG80

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHG80N60EF-GE3

Dokumente und Medien

Datasheets
1(SIHG80N60EF)
Featured Product
1(MOSFETs in 5G)
PCN Assembly/Origin
1(Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020)
PCN Packaging
1(Packing Tube Design 19/Sep/2019)
HTML Datasheet
1(SIHG80N60EF)

Menge Preis

QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $9.51997
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $10.37892
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $11.4526
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 25
Einzelpreis: $12.1684
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $15.03
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-