Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHP050N60E-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 600 V 51A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
10 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
1,000

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
E
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3459 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
278W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SIHP050

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

SIHP050N60E-GE3-ND
742-SIHP050N60E-GE3

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHP050N60E-GE3

Dokumente und Medien

Datasheets
1(SIHP050N60E)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019)

Menge Preis

QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $4.75286
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $5.07222
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $5.6358
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $6.3872
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $7.665
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $8.94
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

Teil Nr. : SIHG050N60E-GE3
Hersteller. : Vishay Siliconix
Verfügbare Menge. : 494
Einzelpreis. : $9.45000
Ersatztyp. : Parametric Equivalent