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SIHF080N60E-GE3

Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHF080N60E-GE3
BESCHREIBUNG
E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 600 V 14A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
28 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
50
Lagerbestände
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Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
E
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2557 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
35W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220 Full Pack
Package / Case
TO-220-3 Full Pack

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHF080N60E-GE3

Dokumente und Medien

Datasheets
1(SIHF080N60E)
Featured Product
1(MOSFETs in 5G)
HTML Datasheet
1(SIHF080N60E)

Menge Preis

QUANTITÄT: 5000
Einzelpreis: $1.9575
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $2.04034
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $2.16687
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $2.53066
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $2.847
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 50
Einzelpreis: $3.3214
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $4.19
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-

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