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ChinaSIHP690N60E-GE3
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHP690N60E-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 600V 6.4A TO220AB
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 600 V 6.4A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-220AB
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
21 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Vishay Siliconix
Series
E
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
347 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
62.5W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SIHP690
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHP690N60E-GE3
Dokumente und Medien
Datasheets
1(SIHP690N60E)
Featured Product
1(MOSFETs in 5G)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019)
HTML Datasheet
1(SIHP690N60E)
Menge Preis
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $0.86678
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $1.02156
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $1.2073
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $1.517
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $1.83
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Stellvertreter
-